三星据悉将采用台积电3纳米工艺生产英伟达HBM基底裸片

三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片 据媒体报道，三星电子计划采用台积电的3纳米工艺来制造英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的基底裸片。消息称英伟达要求三星、SK海力士与美光统一制造工艺以保证性能一致性。此举标志着三星首次在HBM生产制造流程中与台积电展开合作。